單晶爐冷卻系統(tǒng):其特征在于，該系統(tǒng)包括抽氣裝置、排氣管和冷卻管;所述抽氣裝置的一端連接排氣管，所述排氣管連接單晶爐體，所述抽氣裝置的另一端連接冷卻管，所述冷卻管連接單晶爐體;抽氣裝置用于通過(guò)排氣管將單晶爐體內(nèi)的高溫氣體抽出，并從冷卻管流入單晶爐體內(nèi)，對(duì)單晶爐體外的高溫氣體進(jìn)行冷卻。

半導(dǎo)體工藝設(shè)備為大規(guī)模半導(dǎo)體制造提供了制造基礎(chǔ)。描繪電子產(chǎn)業(yè)未來(lái)的摩爾定律，必將導(dǎo)致未來(lái)半導(dǎo)體器件的集成化和小型化程度更高，功能更強(qiáng)。

單晶爐是一種全自動(dòng)直拉單晶生長(zhǎng)爐，是利用石墨加熱器在惰性氣體(氮?dú)狻⒑?環(huán)境中熔化多晶硅等多晶材料，采用直拉法生長(zhǎng)無(wú)位錯(cuò)單晶的設(shè)備。

單晶硅爐的模型有兩種命名方法，一種是進(jìn)料量，另一種是爐膛直徑。如120、150等型號(hào)由進(jìn)料量決定，85爐指的是主爐筒直徑。

單晶硅爐的主體由主機(jī)、加熱電源和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)組成。

單晶硅片的工藝流程

硅，地球上有很多含硅的東西。似乎90%以上都是晶硅，也就是單晶硅。太陽(yáng)能級(jí)硅的純度在6N以上。

首先是石頭(所有的石頭都含有硅)。將石頭加熱至液態(tài)，再加熱至氣態(tài)。讓氣體通過(guò)一個(gè)密封的大盒子。盒子里有N個(gè)以上的子晶體用于加熱，兩端用石墨夾緊。當(dāng)氣體穿過(guò)盒子時(shí)，子晶體會(huì)將其中一種氣體吸收到子晶體上，子晶體就會(huì)逐漸變厚。因?yàn)闅怏w變成固體，很慢，大約一個(gè)月左右，盒子里有很多長(zhǎng)初級(jí)多晶硅。

單晶硅芯片由此進(jìn)入生產(chǎn)過(guò)程:

1. 酸洗:用稀硝酸HNO3進(jìn)行清洗，去除精煉過(guò)程中產(chǎn)生的表面雜質(zhì)和四氯化硅。

2. 清洗:清洗酸洗后硅材料的殘留雜質(zhì)。

單晶爐冷卻系統(tǒng)溫度范圍:1400℃。根據(jù)對(duì)晶體爐數(shù)據(jù)的查詢(xún)，晶體爐冷卻系統(tǒng)的溫度范圍為1400℃。單晶爐爐體材料一般為不銹鋼